העיקרון הבסיסי של ציפוי נחושת electroless

Jun 29, 2018

השאר הודעה

העיקרון הבסיסי של ציפוי נחושת electroless

מאז הלידה של טכנולוגיית ציפוי נחושת electroless, מדענים בחנו ברציפות את התהליך הדינמי של ההטרוגנית שלהם בתצהיר קטליטי פני השטח; הציע מגוון של מנגנון כימי בתצהיר, היפותזה, ניסה להסביר את העובדות הניסוייות של ציפוי נחושת electroless, להגדיל את הזכות ההבנה של הטבע של ציפוי נחושת electroless. כיום, רוב electeringess מסחרי ציפוי נחושת פתרונות להשתמש פורמלדהיד כסוכן הפחתת ויש שתי תגובות כימיות בסיסיות בתהליך התגובה.

Cu2 + 2e → Cu

2HCHO + 40H → H2 ↑ + 2H20 + 2HC00 + 2e

תגובות כימיות מתרחשות על פני השטח של שלבים הטרוגניים קטליטיים, ואין מקורות חשמל חיצוניים ואלקטרונים. התגובה הכוללת של ציפוי נחושת electroless יכול לבוא לידי ביטוי

Cu2 + 2HCHO + 40H → Cu + H2 ↑ + 2H20 + 2HC00

נוסחת תגובה זו מראה רק את הקשר בין המגיבים לבין מוצר התגובה הסופית. תהליך התגובה בפועל הוא הרבה יותר מסובך וניתן לחלק לשני צעדים או יותר. ייתכן כי מלח נחושת monovalent נוצרת כתוצר ביניים של התגובה. התגובה עדיין לא ידועה. התהליך המדויק. מקובל לחשוב כי תהליך התגובה של ציפוי נחושת אלקטרולס מתרחש בשתי תגובות עוקבות, כלומר, אלקטרונים משוחררים בתגובה החלקית של האנודה ונצרכים בתגובת החלקיקים הקתודית. התגובה ציפוי נחושת electroless נשלטת על ידי הקינטיקה של תהליך החמצון של פורמלדהיד, כלומר, הוא נשלט לחלוטין על ידי תגובה חלקית של האנודה. התגובה של שני האלקטרודות החלקיות אינה עצמאית זו מזו; התגובה חמצון של פורמלדהיד מתרחשת באותו זמן על פני השטח של נחושת שהופקדו. כמובן, הדיון במנגנון התגובה לציפוי נחושת אלקטרוליס הוא מסובך, והוא מושפע גם מיחס הריכוז של המגיבים העיקריים; אם הריכוז המגיב באמבטיה ציפוי משתנה מאוד בכיוון של ריכוז יון נחושת נמוכה ריכוז פורמלדהיד גבוהה, ציפוי נחושת electroless מנגנון התגובה משתנה גם בכיוון נשלט על ידי תגובה חלקית של הקתודה